Minority versus majority carriers electric field in shallow silicon junctions Vezi publicația: Revue Roumaine de Physique Anul publicaţiei: 1990Referinţă bibliografică pentru nr. revistă: 35-3; anul 1990 Paginaţia: 279-282 Navigare în nr. revistă: |< < 11 / 13 > >| Realizatori:  SILARD, Andrei (autor) Descriptori:  fizică