Procesul planar/MOS pentru obţinerea structurilor metal-oxid-semiconductor (MOS) cu densităţi minime de defecte de volum şi de suprafaţă Vezi publicația: Studii şi Cercetări de Fizică Anul publicaţiei: 1974Referinţă bibliografică pentru nr. revistă: 26-6; anul 1974 Paginaţia: 591-604 Navigare în nr. revistă: |< < 1 / 10 > >| Realizatori:  POSTOLACHE, C. (autor), BULUCEA, C. (autor) Descriptori:  fizică