Particularities of avalanche multiplication in silicon p-n junctions due to carrier generation within the space-charge region Vezi publicația: Revue Roumaine de Physique Anul publicaţiei: 1973Referinţă bibliografică pentru nr. revistă: 18-8; anul 1973 Paginaţia: 961-979 Navigare în nr. revistă: |< < 2 / 11 > >| Realizatori:  BULUCEA, C. (autor), PRISECARU, D. (autor) Descriptori:  fizică