Advances in the modeling of the impurity diffusion in semiconductors Vezi publicația: Romanian Journal of Physics Anul publicaţiei: 1992Referinţă bibliografică pentru nr. revistă: 37-5; anul 1992 Paginaţia: 509-520 Navigare în nr. revistă: |< < 8 / 19 > >| Realizatori:  GĂISEANU, F. (autor) Descriptori:  fizică