Fabrication and DC characterizations of AlGa/(GaN high electron mobility transistors with undoped and doped donor layers Vezi publicația: Romanian Journal of Physics Anul publicaţiei: 2014Referinţă bibliografică pentru nr. revistă: 59-1-2; anul 2014 Paginaţia: 155-162 Navigare în nr. revistă: |< < 15 / 17 > >| Realizatori:  HAMDOUNE, A. (autor) Descriptori:  fizică