|
articol de periodic |
1963 |
Revue de Physique, viii-1 |
DRĂGĂNESCU, Mihai (autor)
,
SAMACHIȘĂ, Gheorghe (autor)
,
BULUCEA, C. (autor)
|
On the operating regime of the imductive transistor |
|
.9-20 |
|
|
articol de periodic |
1973 |
Revue Roumaine de Physique, 18-8 |
BULUCEA, C. (autor)
,
PRISECARU, D. (autor)
|
Particularities of avalanche multiplication in silicon p-n junctions due to carrier generation within the space-charge region |
|
961-979 |
|
|
articol de periodic |
1974 |
Revue Roumaine de Physique, 19-10 |
BULUCEA, C. (autor)
,
POSTOLACHE, C. (autor)
,
RUSU, A. (autor)
|
Avalance injected electron currents in thermally grown SiO2 |
|
1015-1027 |
|
|
articol de periodic |
1974 |
Revue Roumaine de Physique, 19-8 |
RUSU, A. (autor)
,
BULUCEA, C. (autor)
,
POSTOLACHE, C. (autor)
|
Surface breakdown in silicon, field distribution and cristical field in gate-controlled junctions |
|
871-881 |
|
|
articol de periodic |
1976 |
Revue Roumaine de Physique, 21-5 |
RUSU, A. (autor)
,
BULUCEA, C. (autor)
,
POSTOLACHE, C. (autor)
|
A new uniform-field Schottky-Barrier structure |
|
525-528 |
|
|
articol de periodic |
1974 |
Studii și Cercetări de Fizică, 26-6 |
POSTOLACHE, C. (autor)
,
BULUCEA, C. (autor)
|
Procesul planar/MOS pentru obținerea structurilor metal-oxid-semiconductor (MOS) cu densități minime de defecte de volum și de suprafață |
|
591-604 |
|